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SK 75 GD 066 T /IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS
SK 75 GD 066 T的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

Collector Current83 A

Collector to Emitter Shorted Voltage600 V

Collector to Emitter Voltage600 V

ConfigurationArray

Continuous Collector Current83 A

Dimensions55 x 60.25 x 12 mm

Energy Rating5.9 mJ

Gate Capacitance4.7 nF

Length2.165" (55mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeThrough Hole

Package TypeT-74

PolarityN-Channel

Primary TypeSi

Product HeaderN-Channel IGBT Module

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

Transistor TypeIGBT

TypeTrench

Width2.372" (60.25mm)

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